氮化硅（SiNx:H）作为一种优良的介质膜,已经被广泛用在光伏器件上。在晶硅太阳能电池的研究中,发射结表面减反和钝化一直是研究的重要内容。高效晶硅太阳能电池在要求发射结表面钝化层具有良好钝化性能的同时,也要求其具有良好的光学性能,即减反射效果好,才能进一步提高电池的整体性能,本文以此为研究对象具有一定的实际意义。传统减反膜为单层SiNx:H膜或是SiO₂/SiNx:H双层膜,前者为了保证一定的透光率,在工艺上会牺牲掉部分薄膜的钝化效果,而使薄膜呈现出相对较好的综合光电性能,氮化硅薄膜的钝化效果与其折射率有密切关系,折射率高的SiNx:H膜具有更高的Si-H键密度,可以有效降低反向饱和电流,具有更好的钝化效果,而单层膜在考虑其光学效果时,并不能做到高折射率,不能充分的发挥其优异的钝化效果;后者一方面SiO₂的钝化效果不如氮化硅的钝化效果,另一方面不能单次单腔室工艺完成沉积,成本较高。鉴于上述情况,本文设计了双层氮化硅膜,其内膜部分可以做成高折射率,保证其优异的钝化效果,综合光学效果再由折射率较低的外层膜来调整,既保证了其钝化效果,又不会造成光学损失。等离子体化学气相沉积法（PECVD）因其反应条件要求低及成膜质量优质,而被广泛用作沉积氮化硅膜的方法,本文基于PECVD法在板式PECVD设备上进行氮化硅膜的制作,通过调整工艺参数,在硅片上生长不同结构的氮化硅膜,包括不同折射率和膜厚的单层膜和双层膜,通过对比研究发现双层膜比单层膜的太阳电池少子寿命高、钝化效果好,而且对于双层膜来说,内层膜折射率越高电池性能越优异。