CMOS带隙基准电压源的设计研究

来源 :合肥工业大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:skyeyviva
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基准电压源是模拟电路的核心模块之一,为其他功能模块提供高精度的电压基准。基准源输出的基准电压要求非常稳定,与外接电源电压、温度及工艺的关系很小。本文首先介绍基准电压源的国内外发展状况,然后详细介绍了带隙基准电压源的基本原理、基本结构及性能指标,并在此基础上,分别设计了两种侧重点不同的带隙基准电压源电路,并为第二个结构制作了版图。第一个带隙基准电压源侧重点在于性能。该结构通过二阶温度补偿的方法获得了极其良好性能的温度系数,并且是在相当宽的温度范围内的表现。本文基于TSMC(台积电)0.35μm工艺下进行仿真,仿真结果为在165℃温度范围内(-15℃至150℃)达到了3.9PPM/℃这样一个相当低的温度系数。性能极其优秀。第二个带隙基准电压源侧重于应用。该结构包括简单的启动电路、Miller二级放大电路和基本的核心电路。在UMC(联电)0.18工艺下进行仿真,仿真结果为:在125℃温度范围内(0℃至125℃)温度系数为9.22PPM/℃;并且电源电压抑制比在10KHz时仍为80dB以下,在实际应用中完全可满足要求。并且在第五章给出了该电路的layout版图。
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