【摘 要】
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近年来,移相控制全桥零电压脉冲调制(FB-ZVS-PWM)变换器受到了广泛的关注,由于这种结构利用电路寄生参数(寄生电容和变压器漏感)的谐振来实现软开关,因此它电路简单,没有增加谐振元件,因而被广泛应用到MOSFET作为开关管的场合,但是当漏感很小时,它的滞后臂软开关范围很窄,而增大漏感又带来更大的占空比丢失。为了解决这些问题,人们提出了一种新的全桥零电压零电流脉冲调制(FB-ZVZCS-PWM)
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近年来,移相控制全桥零电压脉冲调制(FB-ZVS-PWM)变换器受到了广泛的关注,由于这种结构利用电路寄生参数(寄生电容和变压器漏感)的谐振来实现软开关,因此它电路简单,没有增加谐振元件,因而被广泛应用到MOSFET作为开关管的场合,但是当漏感很小时,它的滞后臂软开关范围很窄,而增大漏感又带来更大的占空比丢失。为了解决这些问题,人们提出了一种新的全桥零电压零电流脉冲调制(FB-ZVZCS-PWM)变换器,这种变换器采用IGBT作为开关管,超前臂工作在零电压开关、滞后臂工作在零电流开关模式。
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