【摘 要】
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由于嵌入SiO_2基体中的Ge纳米晶(nc-Ge)能发射可见光而有望用于制备新型光数据存储器等，目前它正成为人们感兴趣的研究热点。已发现nc-Ge有光致、电致和阴极射线致发光现象，是否有中子致发光现象尚不清楚，如果有中子致荧光现象，将在中子照相等国防领域有重要的应用。对体材料而言，掺杂是揭示光荧光机理的有用工具。对于nc-Ge来讲，由于其表面态影响突出，所以掺杂对其性质的影响比对体材料的影响要弱得
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由于嵌入SiO_2基体中的Ge纳米晶(nc-Ge)能发射可见光而有望用于制备新型光数据存储器等，目前它正成为人们感兴趣的研究热点。已发现nc-Ge有光致、电致和阴极射线致发光现象，是否有中子致发光现象尚不清楚，如果有中子致荧光现象，将在中子照相等国防领域有重要的应用。对体材料而言，掺杂是揭示光荧光机理的有用工具。对于nc-Ge来讲，由于其表面态影响突出，所以掺杂对其性质的影响比对体材料的影响要弱得多。尽管如此，掺杂对纳米晶性质的影响必须视具体材料体系的不同而分别进行具体的实验研究。本工作通过离子注入
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