铌酸锂表面畴反转结构制备工艺研究

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铌酸锂(LiNbO3)晶体是一种广泛应用于电子及光电产业的人工合成材料,可以利用它的压电特性、铁电特性、电光特性以及非线性光学特性等性质实现一系列的应用。它最广泛的应用是利用其压电特性制备声表面波器件,这广泛应用于手机及其他无线终端产品之中。由于铌酸锂晶体具备优越的电光特性,铌酸锂也作为很多电光调制器的核心材料也广泛应用于光学通信领域。目前,铌酸锂的非线性光学特性也被越来越多地应用于波长转换等领域,铌酸锂周期性极化技术的发展促进了激光波长转换、光学参量振荡器、光学信号处理器等一系列的成果。我们知道,基于铌酸锂材料的非线性光学应用需要满足相位匹配条件,准相位匹配技术是当前应用较为广泛的相位匹配技术。准相位匹配技术是通过铌酸锂畴工程实现的,通过在铌酸锂晶体中制备特定的畴反转结构,就可以实现准相位匹配技术。当前铌酸锂畴反转工艺中应用最为广泛的是外加电场极化法,光学诱导法近年来也受到较多的关注,本课题组采用高压针尖极化方法成功制备了畴反转结构。本论文主要研究采用高压针尖极化方法实现铌酸锂畴反转的工艺条件,为此我们搭建了一套基于高压针尖极化方法的铌酸锂极化畴结构制备装置,并针对不同的极化电压、高压脉冲占空比等条件分别进行了点畴与线畴结构制备实验,以探究了高压针尖极化法的工艺条件。我们实验中使用的样品是掺镁浓度为5%的铌酸锂晶体,在实验中得出了点畴、线畴结构制备的工艺条件。当极化电压控制在2.6 kV~2.8 kV时,可以制备较为规则的正六边形点状畴反转结构;当极化电压控制在2.7 kV左右,高压脉冲占空比为25%,扫描速度为15μm/s时,可以制备较为均匀的线状畴反转结构。除此之外,我们也采用外加电场极化方法制备了沿晶体各个方向的辐射状畴结构,探究了其最佳实验条件。
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