有机薄膜晶体管因具有制备工艺简单、成本低廉、柔韧性好等优点,被广泛应用于显示、传感器、集成电路等领域。其中,绝缘层的表面特性可以影响在它上面生长的半导体层的结晶质量,所以对整个器件的性能有至关重要的影响。本文制备出了一种有机∕无机杂化绝缘薄膜,旨在结合无机材料的高介电常数与有机材料的低表面粗糙度,优化器件性能。具体研究内容如下:首先,介绍有机薄膜晶体管的应用领域、研究现状以及目前存在的问题,并详细阐述其工作原理和基本结构,在此基础上介绍有机薄膜晶体管的一些性能指标和材料的选取。分析有机薄膜晶体管所用到的制备工艺,并阐述本文中器件的制备过程,对器件的测量仪器及其原理进行说明。其次,对酞菁铜有机薄膜晶体管的有机绝缘层作用进行深入研究。应用PMMA修饰Si O2和PVA,制备的双绝缘层器件的输出电流和迁移率比单层器件得到提高。之后研究新型聚合物材料P(MMA-GMA)作为绝缘层的效果,对绝缘薄膜的厚度进行有效减薄后,得到的器件性能明显提升。再次,对比制备基于PVA/P(MMA-GMA)双绝缘层与P(MMA-GMA)单绝缘层器件,双层器件阈值电压由-5V改善到-3V,迁移率由5.24×10-3cm2/Vs提高到1.15×10-2cm2/Vs,并对器件性能改善原因进行分析。最后,研究基于Al2O3/P(MMA-GMA)杂化绝缘层制备的酞菁铜有机薄膜晶体管。确定磁控溅射法制备Al2O3薄膜的工艺参数,用原子力显微镜及X射线衍射仪分析薄膜的生长情况。