【摘 要】
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该文采用三角势近似和实际异质结势,分别考虑电子气对施主杂质-电子间库仑势的屏蔽、声子和压强的影响,讨论半导体异质结中的杂质态.对GaAs/AlGaAs异质结,采用三角势近似异质
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该文采用三角势近似和实际异质结势,分别考虑电子气对施主杂质-电子间库仑势的屏蔽、声子和压强的影响,讨论半导体异质结中的杂质态.对GaAs/Al<,x>Ga<,1-x>As异质结,采用三角势近似异质结势与随机位相近似计算介电函数,计入电子气的屏蔽对杂质-电子间库仑势的影响,结果表明:屏蔽显著地降低了杂质态的结合能,但结合能随杂质位置、电子面密度的变化趋势与无屏蔽的结果相同.对Zn<,1-x>Cd<,x>Se/ZnSe异质结,亦采用三角势近似并考虑体声子和两支界面声子的影响,利用改进的LLP中间耦合方法处理电子-声子相互作用和杂质-电子相互作用,结果表明:声子对结合能的贡献为负,这主要来源于杂质-声子的相互作用,体声子与高频界面声子的影响都很明显.进一步说明:导带的弯曲不容忽视.
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