太赫兹电磁波辐射源是太赫兹关键技术之一。近年来，伴随着大功率飞秒激光技术的发展，基于半导体光电效应太赫兹源的研究迎来了新的机遇。国内外研究较多侧重于PCSS(Photo Conductive Semiconductor Switch)的开关特性以及是否能够产生太赫兹辐射，而对PCSS作为一个天线来讲的方向图、频谱（带宽）等辐射性能并没有给予足够的关注。光导天线由于在大光强情况下会出现饱和，单个天线的输出功率有限，因而组成阵列天线实现空间功率合成，是获得足够大的太赫兹功率的有效手段，这就要求对天线阵列单元的辐射特性有着准确的把握，特别是在设计之初，要对单元的辐射特性有合理的预测。由于半导体光导天线的载流子与电流内部响应的相对复杂，传统的解析方法在实际运用时有一定的局限性。本论文利用数值计算方法，对太赫兹光导天线的辐射特性展开研究，主要包括以下研究内容：(1)根据半导体理论，分析激光脉冲激励时半导体内部载流子的变化。(2)将外加偏置电场作用下载流子的运动与半导体电流密度联系起来，进而得出电场和磁场随激光脉冲、外加偏置变化的方程。(3)结合理论模型对基于PCSS的源-辐射系统进行三维分析，利用时域有限差分方法对光导天线进行全波仿真计算，得到太赫兹光导天线的辐射特性。