众所周之,存储芯片本身在市场竞争中就异常激烈,大部份国内外芯片制造厂(FAB)都具备存储芯片制造的能力,从目前的趋势来看,测试是影响价格的最关键因素之一,所以如何降低测试成本,是一个需要长期重视的问题。同时也需要兼顾提高测试效率和测试可靠性。本文作者所在公司主要生产0.13μm工艺嵌入式闪存(E-Flash),结合日常的嵌入式闪存芯片测试工作,和辅助工艺整合部门和器件设计部门人员对嵌入式闪存(E-Flash)进行的改良研究,得到了大量的工程测试数据。对新设计的电路和工艺进行参数和功能测试检查,使本款嵌入式闪存IP模块最终符合各项期望参数指标并满足量产的需求,并得出了许多新的测试方法。首先,结合电路设计,列举了各种BIST(Built-in Self-test,内建自测试电路)设计的特点,芯片管脚数量的限制,主要的管脚功能以及各种电路设计给测试所带来的优缺点。根据实际所需,提供相应的最佳测试方案,同时也提到了一些常用的测试方法及测试参数,并对其进行了分析和研究,从而让大家理解到测试方法和参数之间所存在的相互制约的作用,得出了相关缺陷检查和弥补的方法。其次,结合器件的工作特性,特别是对嵌入式闪存写操作工作特性进行了着重分析。从理论到实践,借用传统测试方法,尝试调整某些工艺参数,不断提高器件的工作稳定性和扩大参数的正常工作区域,最终达到有效提高成品率的目的。再次,结合量产中的工程改进,针对优化测试程序所需要的缩短测试时间、优化测试流程及提高测试覆盖率问题,研究出一套完善的测试方法和验证手段。最终,虽然本文中所列述的大部份的工程实际问题都已经基本解决,但本文作者对于这些问题的延伸和工程运用及拓展研究,还需要进一步去证实和优化。同时,这些研究对存储芯片测试研究领域具有一定的借鉴作用,可以对将来相同的案例有所帮助。