近年来，主要是通过改变辐照激光参数(激光波长、脉宽和能量密度等)、背景环境(背景气体种类及气压)和靶材(固体、液体和气体)等对激光诱导等离子体的特性进行研究。目前针对金属材料的激光诱导等离子体特性的研究较多，而对半导体材料研究很少。半导体锗(Ge)由于在红外技术、光纤通信及太阳能电池等领域具有广泛的应用，特别是在军事光电对抗方面具有重要的应用前景，因此需要了解和掌握高功率激光辐照Ge诱导等离子体的特性。　　本论文基于研究不同环境条件下不同波长激光诱导Ge等离子体的光谱，开展了激光诱导等离子体特性研究。主要工作为：　　大气环境下，分别利用波长为1064nm和355nm的纳秒脉冲激光辐照Ge靶材，采用时空分辨发射光谱研究了激光脉冲能量对激光诱导Ge等离子体特性的影响，给出不同激光波长条件下，谱线强度、谱线半高宽度和等离子体电子密度等等离子体参数随能量的变化及时空演化规律；真空环境下，利用波长为1064nm的纳秒脉冲激光辐照Ge靶材，利用时间和空间分辨发射光谱法研究不同气体压强条件下的等离子体特性，给出谱线强度、半高全宽和电子密度等等离子体参数随时间和气体压强的变化规律，以及电子温度的时间演化规律。