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ZnO是一种宽禁带半导体材料,激子复合能高,在紫外区具有高的光电导特性,电子诱生缺陷低,外延生长温度低、成膜性强,有利于制备高性能的紫外探测器。本论文用磁控溅射法制备了ZnO薄膜,研究了制备工艺对ZnO薄膜的结构和性能的影响；然后用电子束蒸发法蒸镀Al/Au接触电极,制备了ZnO基光电导型紫外探测器,并对其性能进行检测。主要内容和结果如下：(1)研究了衬底温度对ZnO薄膜的结构和性能的影响。随着衬底温度升高,ZnO薄膜趋向球状生长,并且颗粒尺寸逐渐增大；体载流子浓度逐渐增加,迁移率和电阻