随着片上集成器件的不断小型化,利用图形化薄膜作为互连线成为了当前集成射频无源器件的主流方式。然而在高频下,互连线中产生的涡流损耗对器件的应用产生了不利的影响,同时溅射制备的图形化薄膜成本较高。本论文采用交替电化学沉积非磁性金属层和铁磁性金属层的方法制备出一种新型的[Cu/CoCu]_n多层膜传输线,其中铁磁金属层的相对磁导率在超过自然共振频率时呈现负值,可以补偿非磁性金属层的磁导率,导致出现近零的磁导率和很高的趋肤深度,从而有效抑制高频涡流损耗。本文首先从电化学沉积CoCu合金薄膜的组分、晶体结构、表面形貌等方面进行研究。在-1.1V到-2.1V范围内改变阴极沉积电位,发现沉积电位在-1.3V,保持沉积液pH值为4.0,沉积出的薄膜中钴含量为0.526左右,此时的薄膜晶体结构主要是面心立方结构。其次,加入有机柠檬酸钠络合剂可以使得沉积出CoCu合金薄膜表面的晶粒更加致密均匀,晶粒间的间隙较小,薄膜质量更高。其次,本论文通过改变沉积液中钴铜盐的浓度比例、添加剂的浓度的方式调控沉积出的CoCu合金薄膜的软磁性能。控制沉积电位为-1.3 V时,CoCu合金薄膜的4πMs保持在0.8 T,矫顽力保持在10 Oe,具有十分良好的软磁性能。另外,为了使CoCu合金薄膜能够在高频段下工作,需要在较低饱和磁化强度的前提下诱导出单轴各向异性。在电沉积过程中,我们在电镀槽两侧外加800 Oe的平行磁场作为诱导磁场,详细研究了阴极沉积电位、溶液浓度比例、硼酸浓度和柠檬酸钠浓度对于诱导各向异性的影响。研究发现在柠檬酸钠浓度为0.0453 mol/L,溶液pH为4.0,沉积电位为-1.3 V时,可以获得单轴各向异性的CoCu磁膜,各向异性场在50 Oe左右,符合器件设计的要求,有利于薄膜在高频下的应用。此时在3 GHz以上的频段,薄膜的相对磁导率出现负值,有利于实现对多层膜结构性能的调控。最后,我们研究了改变交替沉积周期数及两种金属层的厚度比对趋肤效应抑制作用的影响。通过在同一种沉积液中交替改变阴极沉积电位来制备[Cu/CoCu]_n多层膜结构微波传输线。通过微波探针台和矢量网络分析仪测试了S参数,转化为传输电阻以后,观察到传输电阻在10 GHz频段发生了明显的下降。相对于纯铜线制备的微波传输线,[Cu/CoCu]_n多层膜结构微波传输线明显起到了提高趋肤深度、抑制涡流损耗的作用。