为了提高信息技术的整体发展水平,基于闪存(Flash)的固态硬盘(Solid State Disk,SSD)因存取速度快、抗震防摔、功耗低、噪声低等优良特性被广泛应用于存储解决方案中。固态硬盘中闪存以芯片的形式存在,其中MLC NAND闪存芯片的应用最为广泛。近些年来,生产厂商不断提高闪存芯片的工艺制程以满足用户对更大容量、更低成本的需求,但同时,闪存芯片的使用寿命和存储可靠性受到了严重影响。深入研究闪存的失效模式,以寻求解决方案,具有重要的意义。分析闪存的存储原理、组织方式和读写机制,提出闪存在使用过程中存在的三种失效模式,包括写干扰错误、写入错误、读干扰错误。设计并实现了一个硬件平台,通过该平台可直接访问闪存芯片并获取到介质中的原始数据,同时开发了一个基于此平台的测试系统。针对每一种失效模式设计对应的测试方案,统计访问过程中出现的比特错误以研究对应的失效模式。通过实验得出以下结论:(1)物理页的分配方式不同,写干扰造成的比特错误数也不同,随机分配会产生大量的比特错误,按字线分配产生少量的比特错误,按页分配产生极少数的比特错误;(2)对同一字线上的LSB(Least Significant Bit)页和MSB(Most Significant Bit)页编程时,MSB页中产生比特错误的概率更高,且产生比特错误的数量可能更多;(3)读取一个页可能导致块中其他页失效,且随着读操作次数的增加,失效的概率也会有所增加。