硅基光子学的形成和发展，为突破硅基微电子学的摩尔极限提供了新的方向。半导体材料硅在微电子领域中的应用已经是家喻户晓，在成熟的微电子加工工艺和日益进步的半导体材料生长工艺的共同推动下，硅在光子学领域中的应用也展现出了前所未有的优势和潜力。氮化硅作为另一种重要的光子学材料，在可见光波段的生物传感应用、通信波段的非线性光学应用和低热灵敏度器件的设计等方面发挥着其独特的优势。　　本论文首先探索了基于PECVD的氮化硅生长工艺，其次仿真设计了一种基于氮化硅的宽带平坦低色散波导，最后设计制备了一种低热灵敏度的氮化硅光交叉波分复用器。主要内容包括：　　(1)系统研究了SiH4和NH3两种反应气体流量、反应腔压和高低频交替时间等反应条件对氮化硅薄膜的沉积速率、应力、表面粗糙度和折射率等的影响。　　(2)仿真设计了一种基于氮化硅的宽带平坦低色散波导，理论计算了该波导的有效模式面积和非线性系数随波长的变化关系，并研究了该波导在简并四波混频中的相位匹配条件。　　(3)设计并制备了一种基于氮化硅的环耦合非对称马赫曾德干涉仪型光交叉波分复用器。在25℃到70℃的温度范围内，PMMA包层器件的温度灵敏度减小为±7pm/?C，其最大波长漂移为0.125nm。