纳米银低温烧结,是一种具有广阔发展前景的互连技术。纳米银作为一种绿色无污染材料,烧结温度低,熔点高,有着良好的导电、导热等诸多优良性能,受到功率电子封装领域业内人士的广泛关注,是功率电子封装领域的理想连接材料。到目前为止,人们对纳米银进行了大量研究,通过各种各样的试验验证了纳米银应用于功率电子元器件连接的可行性,但并未在航天领域进行工程应用。因此,研究低温烧结纳米银工艺在航天电子产品中的应用有着重大的科研价值以及国防建设价值。本文为实现某型号卫星中功率器件的纳米银连接,对纳米银烧结工艺参数进行了摸索,并通过试验和理论分析对其可靠性做出了较为全面的研究。归纳总结了影响纳米银烧结质量的五个因素,分别为焊膏的涂覆厚度、涂覆面积、峰值温度、加热速率和保温时间。对影响烧结质量的各因素进行了单因素分析,以纳米银烧结试样连接层的剪切强度为试验评价指标,得到了试样烧结质量较高时各影响因素的参数值范围。在得到的各因素的参数值范围内合理取值进行了影响烧结质量的多因素分析。为简化试验次数,采用正交法设计试验方案,摸索出适用于该纳米银烧结的工艺参数。进行温度循环和恒定加速度试验,并制备了环境试验前、后的金相试样。金相试验显示,试样横截断面处的裂纹等缺陷非常少,剪切强度测试发现环境试验后试样的剪切强度均达到10MPa以上,X-RAY检测空洞百分比远低于30%,远远达到了课题总空洞率小于总焊接面积的30%,单个空洞小于5%的指标要求,说明本试验方案可行。