该论文从理论上研究了分层优化的TFEL器件中作为加速层的非晶SiO<,2>层的加速机理.主要从电子输运和能带断错两个角度对SiO<,2>的加速作用进行了研究.研究人员用Monte Carlo方法模拟了非晶SiO<,2>中电子的输运过程,在高场下,电子受到以下几种主要的散射机制:(1)极化光学声子散射;(2)非弹性声学声子散射:由于在高场下,电子的平均能量比较高,因此有必要考虑能带的非抛物性;(3)带间碰撞离化:对于非SiO<,2>,研究人员考虑了具体材料的非晶特性,在散射几率公式令ε<,th>=5.5eV;(4)无序弹性散射:研究人员尝试用一种简单的无序性模型,建立非晶材料的本征无序弹性用射公式.在考虑以上各种散射机制后,研究人员模拟了1000个电子分别在电场为1.5MV/cm,3.5MV/cm,···,13.5MV/cm下穿过60nm厚的非晶SiO<,2>薄膜的过程.计算结果表明,当电场高于5.5MV/cm时,电子的平均动能可达3eV.而电子如果不经过SiO<,2>层而直接进入ZnS基质,电子的平均动能仅约为1eV.由此说明了SiO<,2>层的加速作用.另一方面,电子在越过SiO<,2>/ZnS界面时,界面处的能带断错影响着电子动能的改变.由于非晶SiO<,2>中带尾的存在,对于从SiO<,2>层导带扩展态输运过来的电子,动能的改变应取决于SiO<,2>扩展态导带底和ZnS导带底的差值△/E<,Cloc>.研究人员用DV-X<,α)方法,通过构造原子族模拟界面处的原子排列,计算出此△/E<,Cloc>为2.3±0.1eV.虽然电子在越过界面时能量的改变要受到其它因素如界面态的影响,但△/E<,Cloc>的存在将在一定程度上有利于电子在进入ZnS层时获得更大的动能.