【摘 要】
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ZnO是一种新型直接宽带隙半导体，可以通过不同元素掺杂改性以满足不同的应用需要。本文开展的主要工作如下: 1、以ZnO、MnO2和Cu2O的超细粉末为原材料，用固相反应法烧结为靶
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ZnO是一种新型直接宽带隙半导体，可以通过不同元素掺杂改性以满足不同的应用需要。本文开展的主要工作如下: 1、以ZnO、MnO2和Cu2O的超细粉末为原材料，用固相反应法烧结为靶材，之后采用电子束蒸发法制备Mn单掺及Mn-Cu共掺杂的Zn1-xMnxO和Zn1-xMnx-yCuyO薄膜。XRD显示Mn单掺的Zn0.95Mn0.05O呈单一的六方纤锌矿结构;当Mn含量达到10 at％时，有MnO2析出。Mn-Cu共掺的Zn0.95Mn0.04Cu0.01O和Zn0.9Mn0.09Cu0.01O都为单一的六方纤锌矿结构。M-H曲线显示室温下Zn0.95Mn0.05O为顺磁性，Zn0.9Mn0.09Cu0.01O和Zn0.95Mn0.04Cu0.01O为铁磁性，饱和磁化强度分别为0.015 emu/g和0.03 emu/g。根据Zn0.9Mn0.09Cu0.01O和Zn0.95Mn0.04Cu0.01O的M-T曲线可推测出两者的居里温度均高于室温，并解释了Mn-Cu共掺杂的ZnO铁磁性来源。 2、以ZnO、ZnS的超细粉末为原材料，用固相反应法烧结为靶材，之后采用电子束蒸发法制备ZnOS合金薄膜。XRD显示ZnOS呈类ZnO六方纤锌矿结构，即ZnO晶格中部分O被S替代。透射光谱和光致发光测量结果显示ZnOS带隙减小，并用理论知识进行解释。另外XRD和PL曲线还显示ZnOS的晶格结构和光学性能受衬底温度影响。
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