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本文研究了半导体桥(SCB)火工品防静电、防射频的技术,以及静电、射频对SCB火工品性能的影响。首先通过对静电、射频产生原因、干扰机制和破坏机制进行研究。分析了火工品常用静电、射频防护设计和常用电火工品防静电、防射频防护元件的原理。采用了半导体放电管作为防静电元件;热敏电阻和片式磁珠作为防射频元件。设计制造了适合相应要求的半导体放电管。对典型SCB火工品和低发火能量SCB火工品的防静电、防射频能力进行了研究。静电实验表明典型SCB火工品有很好的防静电能力,低发火能量SCB火工品在50kV静电作用下容易发火。低发火能量SCB火工品在1A1W5min实验中会100%发火。经GTEM小室实验的SCB火工品都未发火,说明典型SCB火工品和低发火能量SCB火工品都有很好的防射频辐射能力。射频注入实验表明典型SCB火工品100%发火功率为17W,在射频功率为13W情况下低发火能量SCB火工品100%发火。通过对与防护元件组合的SCB火工品进行实验,分析防护元件对SCB火工品防静电能力和防射频能力的影响。与半导体放电管组合的低发火能量SCB火工品在50kV静电放电实验中都未发火,说明半导体放电管可以有效地提高SCB火工品的防静电能力。与热敏电阻组合的低发火能量SCB火工品在1A1W5min实验中未发火,说明热敏电阻可以有效地提高SCB火工品防射频的能力。与片式磁珠组合的典型SCB火工品在射频功率为24W情况下未发火;与片式磁珠组合的低发火能量SCB火工品在射频功率为17W情况下未发火,说明片式磁珠可以有效地提高SCB火工品防射频的能力。对经静电或射频实验的SCB火工品的性能变化进行了研究。结果表明电容放电条件下,静电放电对SCB火工品的性能影响不显著。GTEM小室的电磁辐射使SCB火工品感度升高。在恒流源条件下,静电放电使SCB火工品的感度降低。射频功率越大,经射频注入实验的SCB火工品的感度越高。SCB火工品因经GTEM小室的电磁辐射而感度升高。