随着电子元器件朝着小型化、集成化、轻便化发展,以ITO(掺锡氧化铟)为代表的金属氧化物导电薄膜越来越难以满足社会需求。主要原因如下:(1)金属氧化物脆性较大,经多次弯曲折叠之后,易产生裂纹或者从柔性衬底上剥落,不能满足柔性电子器件的要求。(2)金属氧化物的薄膜生长技术如化学气相沉积(CVD)、真空蒸镀等方法,工艺较复杂,多涉及高温,超出了柔性衬底的耐受范围。以银纳米线和银金属网格为代表的透明柔性导电薄膜具有较好的柔韧性和导电性,能经受多次弯折和挠曲,可在室温下成膜,成为最有希望取代ITO的导电材料,应用于触摸屏、平板显示、透明防护层等领域。本论文的研究内容主要包括如下三个方面:(1)用醇热法制备出银纳米线,通过调节反应条件包括聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的添加量、FeCl3?6H2O的添加量、以及聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的分子量得到不同形貌的产物,并对各反应条件的作用进行了探讨。(2)以银纳米线为导电材料,在柔性衬底上铺设一层乙基纤维素,通过数次90°交叉刮涂银纳米线分散液,得到随机分布、相互交叉的银纳米线网络。随后,对银纳米线的质量分数、长径比对薄膜光电性能的影响进行了探索,并表征了其柔韧性。(3)在柔性衬底上制备出具有连续通路的微米级凹槽图案,往图案中填充导电浆料,除掉柔性衬底表面多余的浆料,对凹槽中的浆料进行烧结,制得图案化银导电薄膜。随后,表征了不同凹槽深度的银透明柔性导电薄膜的透光性和导电性。