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本论文利用浮区法,基于自成核、自生长理论,不用晶种,使用最新型4椭球面反射镜红外聚焦浮区炉(FZ-T-10000-H-VI-VP)在高氧压下首次生长出低缺陷的ZnO晶须.研究了氧压对晶体生长的影响,实验确定了浮区法生长ZnO晶须的最佳氧压条件.结构分析表明所生长的晶体为沿c轴生长的单晶.在室温和93-693K温度下测量了ZnO晶须的喇曼光谱和光致荧光光谱,结果表明在晶体生长过程中选择适当氧压对减少氧缺陷和增加紫外荧光相对绿光荧光的比例是有益的.利用可调功率脉冲激光研究了ZnO晶须在低激发密度下的光致发光过程.此外,使用FZ-T-10000-H-VI-VP单晶炉、在高压氧(0.5MPa)下生长出金红石(TiO2)单晶;XRD和Raman光谱分析证明晶体结构比较完整.对单晶进行了Raman散射研究.在室温Raman谱中观察到四个活性模: B1g(143cm-1)、Eg(446cm-1)、A1g(605cm-1)和B2g(826cm-1),同时发现迄今为止未见报道的690cm-1的Raman峰,通过变温Raman光谱研究,初步指认其为复合Raman散射过程(Combination scattering).