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由于价格低廉,来源丰富,无毒无害,化学性质稳定,抗光腐蚀以及较高的氧化能力等,TiO2被认为是一种很有潜力的光催化剂材料。然而,TiO2的光生电子空穴对复合效率较高,使得其光催化效率不高,而且它只能被太阳光中含量仅3%-5%的紫外光激发,这两大缺点限制了其在实际生产中的应用。改善TiO2的光催化活性的方法主要有形貌控制法,掺杂法,贵金属颗粒沉积修饰法,窄禁带半导体复合法等。大量研究证明了高能(001)晶面暴露的TiO2单晶具有较高的光催化活性,但其光催化效率仍达不到实际应用的要求。本论文以高能晶面暴