根据原子核和电子相互作用的原理及其基本运动规律，运用量子力学原理，从具体要求出发，经过一些近似处理后直接求解薛定谔方程的算法，习惯上称为第一性原理。　　 用第一性原理计算电子性质的方法，已经广泛的应用于计算半导体材料的基本性质和线性性质。现在越来越多的人对Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2化合物的能带结构和态密度感兴趣，因为能带和态密度是材料的基本性质。CuGaTe2和CuGaS2物质是三元半导体化合物家族中的一种，它们都具有黄铜矿结构，属于直接带隙半导体材料。相对于两元类似化合物，三元化合物突出的特点是:在能带结构中带隙能量大幅度减小。这个特点是由不同原子间的p轨道和d轨道杂化作用造成的，而且轨道杂化的程度是影响原子与原子之间成键强弱的因素。　　 本文我们主要采用密度泛函理论(DFT)计算了CuGaTe2和CuGaS2化合物的一些基本性质如能带结构和态密度，还应用密度泛函微扰理论(DFPT)计算了CuGaTe2和CuGaS2的反应函数，得到材料的一些物理特性如玻恩有效电荷张量、介电张量、弹性张量和布里渊区中心处的声子频率分布。这些性质是基于ABINIT程序包下用第一性原理计算，用opium生成赝势，采用密度泛函理论中的局域近似(LDA)确定交换关联能。本文对这两种化合物的性质进行了分析比较和研究，有助于解决实验型文献与理论型文献出现的一些差异。