本课题研究利用TSMC 0.18-μm标准CMOS技术来设计K-波段接收机前端关键电路模块,如低噪声放大器,混频器和压控振荡器。首先,使用TSMC 0.18-μm标准CMOS技术来设计一个应用于K-波段的可变增益低噪声放大器。使用共平面波导传输线实现片上电感以及实现匹配元件,以减低高频下有损耗硅基底的影响。在电路的高增益模式中,仿真得到小信号增益为14.4 dB,而噪声系数为2.4 dB左右。该可变增益低噪声放大器的增益可变范围是9 dB。本课题还设计了一个应用于6-34 GHz的分布式漏极混频器。这个混频器电路是使用了TSMC 0.18-μm标准CMOS的共源的NMOS晶体管来组成的一个简单分布式结构,并且其转换损耗在6-34 GHz之间均优于6 dB。同时,该分布式混频器实现了低功耗和高线性度,非常适合宽带应用。最后,利用TSMC 0.18-μm标准CMOS技术来设计一个应用于22 GHz低相位噪声且宽带频率调整范围的NMOS交差耦合推-推压控振荡器(VCO)。电路中使用了一个只有NMOS的交差耦合对来降低相位噪声,其仿真得到二次谐波输出端的相位噪声在1 MHz频移时为-106.5 dBc/Hz。并且这个推-推VCO可达到的频率调谐范围为8%。