硫系非晶态半导体作为一种长波长非线性光学介质被用来制备红外透镜、红外生化传感器、CO2激光传输光纤、高速光开关、功率限制器、光克尔效应斩波器和光学非线性环镜等。硫族非晶态半导体在光的作用下,能产生许多光致效应,其中光阻断效应是该类材料的诸多特性中一个颇有特点的现象。唯有在As2S8波导上可以看到的光-光效应的光阻断试验,其原理是利用了次能级电子跃迁过程对信号光的吸收,向次能级抽运电子的工作由带隙光激励来完成。光阻断效应有ms量级的切断响应和较慢的s量级恢复响应过程。为改善恢复响应,试验了在As2S8中低浓度掺Sn的实验,使光阻断的恢复响应提升到了ms量级。本课题以掺锡As2S8为研究对象,通过实验分析了He-Cd光照时间、传输光光子数等外部因素对掺锡As2S8恢复响应的影响,总结了实验规律,并提出了光阻断恢复过程的数学模型。实验还考察了掺锡As2S8非晶态半导体薄膜的光折变效应及其膜厚变化的现象,归纳了沉积态样品、退火态样品和光饱和态样品的实验规律,给出了光谱测试数据和X射线衍射谱。在此基础上提出和采用紫外光激励的方法试制了掺锡As2S8条形波导,632.8nm波长导模激励显示该波导具有良好的导波特性。