GO和g-C3N4对CL-20、HMX的降感作用及机理研究

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局部过热是当前微电子电路、化工单元和电气工程设备设施普遍存在的问题,这不但威胁着电器元件的工作稳定和使用寿命,还是电子设备提升功率、缩小体积等发展道路上的重大瓶颈。基于此,本文分别以g-C_3N_4及其复合材料为导热填料,环氧树脂(EP)聚合物为基体,制备了g-C_3N_4基导热复合材料。首先,通过氰胺热缩聚制备得到g-C_3N_4,再经强酸质子化剥离得到g-C_3N_4纳米片(CNNns),将两
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