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Ge/Si量子点材料具有三维量子限制效应,且易于实现与硅基集成电路相集成,在未来的光电器件中有很大的应用前景。本文围绕Ge/Si量子点光电探测器件进行了一些基础性研究,研究了此磁控溅射制备Ge点,并研究了磁控溅射制备欧姆接触A1电极,包括溅射功率、沉积厚度、退火温度和时间等因素对Al膜形貌和性能的影响。另外,开展了光探测器原型器件的试制。首先研究了磁控溅射制备Ge点,通过退火对Ge量子点的密度和尺寸进行调控。利用原子力显微镜(AFM)和拉曼(Raman)对制备Ge量子点的形成机理和演变规律进行了研究。AFM测试表明,随着退火温度的升高,量子点的体积和密度都增加,在650℃退火10min的样品量子点密度达到约3.5×1010cm-2。通过拉曼光谱对比分析,发现Ge-Ge振动模随着退火温度的升高而蓝移,认为主要是由于随退火温度升高位错不断减少而导致的。然后,采用磁控溅射进行了Si基Al膜的制备研究,研究了溅射功率、沉积厚度、退火温度和时间等因素对Al膜形貌和性能的影响。通过SEM、 EDS等表征手段对样品表面形貌和元素含量进行了表征。测试显示较优的Al膜制备参数是：溅射功率100W,沉积厚度600nm,退火温度550℃。采用较优参数,研究了退火时间对Al-Si欧姆接触性能的影响,并测试了其电流-电压(I-V)特性曲线。结果显示未退火和退火5min的样品没有形成欧姆接触,550℃退火10min和30min的样品都形成较好的欧姆接触,且退火30min的样品接触电阻更低。最后,开展了Ge/Si量子点为基础的光电探测器的试制。以PIN结构为基础,制备了三个原型器件,并进行了其I-V曲线测试。通过调整A1电极厚度、通光控、量子点层数,P型层生长条件等参数,最终器件#003得到了较好的I-V特性曲线。