硒化锌是红外宽波段（0．7-14μm）优秀的红外窗口透过材料，但是由于其折射率相对偏高，耐磨抗蚀性能差，并且有32％的反射损失，因此必须在它的表面镀制红外增透和保护膜。本文的主要研究目的就是在硒化锌基底沉积红外增透和保护膜系。根据薄膜光学的基本理论和计算机辅助设计方法之一的“彻底搜索法”在硒化锌基底上设计了各种增透保护膜系方案。结合对红外光学保护材料的分析，对膜系材料进行了合理的选择，确定了膜系结构，各膜层的材料，及光学常数（主要指薄膜的厚度和折射率）以及对膜系结构的光学常数偏差对透射率的影响的分析，最终确立了设计方案受薄膜的厚度影响很小的方案，为膜系制备可重复性提供了保障。通过对不同制膜技术的分析和研究以及选择对比，并进行了大量的试制，在此基础上，采用了中频双靶磁控反应溅射技术制备进行了DLC／Ge_1-xC_x红外保护和增透膜系的制备，和当前采用射频磁控反应溅射技术相比，有以下几点优点：1)中频溅射大大减少了对操作人员以及周边环境的危害性。2)双靶共溅射（Ge靶+C靶），可以方便控制Ge_1-xC_x的成分，同时，可以减少工作气体（CH₄+Ar）中的CH₄所占的比例，从而避免CH₄在分解过程中在靶表面形成介质膜。而出现靶中毒现象，影响溅射的稳定从而影响成膜的质量。3)能制备从低到高各种碳成分的Ge_1-xC_x薄膜，便于我们控制薄膜的折射率，而以往的方法只适用于制备高折射率的Ge_1-xC_x薄膜。据资料调研表明，尚未发现国内其它单位采用该技术进行DLC／Ge_1-xC膜系结构的制备。对制备的各种薄膜进行了相关测试和分析，研究了薄膜的结构，成分及光学常数，并与制备工艺进行了系统研究的关系，采用XPS测试分析的Ge_1-xC_x薄膜的成分，结合进气比例CH4／CH4+Ar，得出了进气比例和薄膜成分的关系；根据光谱法中的极值方法确定光学常数（薄膜厚度和折射率），得出了薄膜成分和折射率的关系；根椐XRD，和激光Raman谱测量Ge_1-xC_x薄膜的晶相结构，还研究了基底温度对薄膜结构的影响。在此基础上，进行了膜系结构工艺参数的筛选和总结，制备硒化锌为基底的增透保护膜，在双面镀膜的情况下，在红外宽波段（0．7-14微米）的平均透过率为80．3％，整体透过率提高了15％左右。本文主要研究内容和取得的成果：1．根据薄膜光学的基本理论和本工作的实际情况，选择了“彻底搜索法”的设计方法在硒化锌基底上进行增透保护膜系结构的设计。并根据保护要求合理的选择了材料，最终确定了膜系结构参数。2．根据设计方案，对膜系结构进行了大量实验探索，确立了双靶中频磁控反应溅射技术进行该膜系结构制备的最终技术。3．采用双靶中频磁控反应溅射技术实现了不同含碳成分的Ge_1-xC_x薄膜的制备，满足了膜系结构折射率变化的设计要求，同时避免了靶中毒现象，实现了溅射的稳定进行。4．进行了双靶中频磁控反应溅射技术对Ge_1-xC_x红外增透和保护膜的制备工艺的系统研究，通过各种分析测试手段，研究了薄膜的结构、成分及光学常数等与制备工艺参数的关系，由此最终确立的膜系结构的制备工艺，该工艺不仅制备出满足目标的，而且为该膜系结构制备的重复性提供了保障。5．在硒化锌基底制备的增透保护膜，在双面镀膜的情况下，在红外宽波段（0．7-14微米）的平均透过率为80．3％，整体透过率提高了15％左右。抗磨耐蚀试验表明，该膜系还具有较好的抗磨耐蚀性能。