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具有低电阻率及高透光率的Zn S基透明导电薄膜,在液晶显示器,太阳能电池和有机发光器件等领域具有广阔的应用前景。针对目前市场上应用的透明导电薄膜成本高和光电性能低的问题,本论文以Zn S基透明导电薄膜为研究对象,以制备具备宽波长范围透明、高光透过率和低电阻的高综合性能新型透明导电薄膜为目标,采用磁控溅射仪交替溅射制备Zn S/Cu多层复合薄膜和共溅射制备Cu掺杂Zn S薄膜(Zn S:Cu),利用XRD、AFM、SEM、UV-Vis和四探针仪等多种现代分析测试手段,研究Zn S层厚度、Cu层厚度和层数对Zn S/Cu多层复合薄膜微观结构及光电性能影响,进一步研究退火温度对Zn S/Cu三层、五层以及Zn S:Cu薄膜结晶性能、表面组织形貌以及光电学性能影响。薄膜微观结构、电子浓度和各层厚度引起的光干涉效应共同影响Zn S/Cu多层复合薄膜的综合性能。中间层Cu薄膜按岛状方式生长,当Cu层为16nm和Zn S层均为42nm时,Zn S/Cu/Zn S复合薄膜在可见光波段的最高透光率达87%,方块电阻为62.5?/sq,品质因子最大为3.76×10-3?-1。增加薄膜沉积层数至五层时,薄膜的透射峰向长波移动,近红外波段最高透过率为88%,方块电阻降低至56.4?/sq,品质因子为4.48×10-3?-1。退火处理能够改善Zn S/Cu多层复合薄膜的结晶性能,提高薄膜的光透过率并降低其电阻。在200℃退火温度下,薄膜开始结晶,表面出现大颗粒团簇。在100℃退火温度下,复合薄膜的综合性能最高分别为:Zn S/Cu/Zn S三层薄膜在可见光波段的最高光透过率上升至90%且1100nm处透光率仍高达73%,方块电阻下降至46.3?/sq;Zn S/Cu/Zn S/Cu/Zn S五层薄膜的透射峰向短波移动,可见光波段最高的光透过率上升至89%且1100nm处透光率为72%,方块电阻下降至40.4?/sq。Zn S:Cu薄膜进行退火处理,薄膜在Zn S(111)择优取向。继续增加退火温度,Cu占住Zn位形成P型半导体Cu2S,Cu2S晶粒不断长大并伴有Cu S晶粒形成,薄膜表面形貌由颗粒状向片状转变。随退火温度升高,Zn S:Cu薄膜的光学带隙逐渐减小,光透过率先升高后降低,方块电阻先减小后增大。在200℃温度下,Zn S:Cu薄膜的方块电阻最低为164.1?/sq,光透过率为80%,300nm-600nm波段光透过率优于Zn S/Cu多层复合薄膜,品质因子最大为6.1×10-4?-1。