随着超大规模集成电路(ULSI)器件集成度的提高,信号容阻(RC)延迟、串扰以及能耗等问题也日益凸显出来,亟需开发新型低介电常数(low-k)材料解决上述问题。在聚合物基体中引入电负性基团以及纳米微孔可以有效降低材料的介电常数。本文研究了以聚酰亚胺为基体的低介电常数材料。　　 本实验研究了具有纳米微孔结构的含氟聚酰亚胺制备方法及其性能。分别以ODA-PMDA和的3FEDAM-6FDA为单体,在溶剂N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)中,采用原位聚合法合成SiO2/聚酰亚胺(PI)复合薄膜。用氢氟酸刻蚀SiO2纳米粒子,引入纳米微孔,形成含有纳米微孔结构的聚酰亚胺薄膜。通过核磁共振和红外图谱表征聚酰亚胺分子结构。用透射电镜表征微孔结构,分析了分子结构和造孔剂(SiO2)含量对薄膜介电常数,耐热性,疏水性,机械强度等性质的影响。结果显示,成功合成含氟聚酰亚胺薄膜,纳米微孔最小孔径为40nm,分布均匀。造孔剂含量为9％时,含氟PI的介电常数可降低至2.45,并且具有良好的机械强度和耐热性。本实验为相关领域的进一步研究做出了一定贡献。