球磨-热压烧结法制备SiC<,p>/Cu纳米复合材料

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纳米SiC颗粒增强铜基复合材料具有强度高、耐磨损等优良性能,作为导电材料,它在电触头、电阻焊电极、联铸结晶器以及IC引线框方面具有广阔的应用前景。高能球磨结合热压烧结可以制备性能良好的块体纳米复合材料。本文综述了颗粒增强铜基复合材料的研究状况以及高能球磨法-热压烧结制备金属基复合粉末的机理和影响因素,并研究了纳米颗粒对铜基材料的增强作用,介绍了实验方法和思路。研究了工艺参数:磨球材质、球磨转速、球磨时间、纳米SiC体积分数、烧结温度对复合材料性能的影响,得到了在本试样条件下制备SiCp/Cu纳米复合材料的最佳工艺参数。扫描电镜的显微组织观察表明,球磨后纳米SiC颗粒均匀的镶嵌在铜基体上,随着球磨时间的增加,SiC颗粒逐渐嵌入铜基体内部,这有效地解决了纳米SiC颗粒的团聚问题,为下一步的烧结提供了前提。并且球磨后,粉末的活性得到提高,降低了烧结温度。本研究表明,工艺参数对复合材料的致密度、硬度、导电性能以及耐摩擦性有大的影响。随着纳米SiC增强相体积分数的增加,块体复合材料的硬度和耐磨损性能提高,但是致密度和电导率降低。并且随着烧结温度的升高,材料的综合性能得到提高。
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