目前国内外对SiC电容式压力传感器的研究主要集中在结构设计、工艺改进、单一环境应力仿真等方面,仍缺乏对其在温度、压力和振动等多综合环境应力下的环境适应性方面的研究。本文基于Ansys有限元仿真平台实现了对SiC电容式压力传感器敏感元件结构、封装结构在各种环境应力下的应力应变仿真分析,进而分析了传感器在相应环境应力下的环境适应性情况,主要研究结论如下。首先,基于有限元仿真软件建立SiC电容式压力传感器敏感元件及封装结构仿真模型,对其划分网格并进行网格质量评估;建立传感器在单一和多综合环境应力下的仿真流程;设置非线性控制选项以确保仿真收敛性及结果准确性。通过仿真软件中的瞬态热及瞬态结构场模块,利用热-结构耦合及载荷传递法实现了传感器在压力、温度、振动环境下的单一环境、二综合及三综合环境应力仿真分析。其次,基于仿真结束时刻的云图结果得到各种环境应力作用下传感器两种结构的残余应力极大值。结果表明,单一环境应力下,敏感元件及封装结构中Si O2层最大残余应力皆出现在900℃单一恒温环境下,其应力值分别为270.24MPa、378.61MPa;二综合环境应力下,敏感元件及封装结构中Si O2层最大残余应力皆出现在900℃变温-变压环境下,其应力值分别为297.63MPa、391.48MPa;三综合环境应力下,敏感元件中Si O2层最大残余应力出现在900℃恒温-恒压-冲击环境下,其值为306.1MPa。最后,提取各种环境应力作用结束时刻传感器各膜层的残余形变数据,采用微元法计算得到传感器的电容零点漂移值,分析各种环境应力对传感器电学输出特性的影响。结果表明,单一环境应力下,敏感元件及封装结构的最大零漂值皆出现在900℃单一恒温环境下,其值分别为0.2325%、0.2245%;二综合环境应力下,敏感元件及封装结构的最大零漂值皆出现在900℃变温-恒压环境下,其值分别为0.4356%、0.4239%;三综合环境应力下,敏感元件结构的最大零漂值出现在900℃恒温-恒压-随机振动环境下,其值为0.3904%。上述电容零漂值皆小于3%,说明传感器的电学输出特性较为稳定,即电学方面的环境适应性较好。