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随着微电子技术的飞速发展，半导体器件的特征尺寸不断减小，SiO_2作为MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的栅介质材料在几年之内将不能满足需求，故满足此条件的高介质材料的研制就成为当今微电子材料的研究热点。在众多的候选材料中，钛酸铋体系中的Bi_2Ti_2O_7是其中一种有望替代SiO_2的栅介质材料。在钛酸铋体系中，对Bi_2Ti_2O_7的研究较少，起步较晚。但是Bi_2Ti_2O_7的多晶薄膜