纳米材料由于具有与体相材料不同的新异物理与化学性质,在可再生能源、环保等领域具有特殊的应用。本文报道了采用溶剂热法在180-200℃制备出三元黄铜矿结构CuFeS2纳米颗粒和基于气-液-固(Vapor-Liquid-Solid)生长机理的气相法制备ZnCdSe合金纳米线的结果。利用扫描电镜、高分辨透射电子显微镜、X射线衍射仪对两种样品的形貌与晶体结构进行了细致的表征,证明所制备的CuFeS2纳米颗粒和ZnCdSe合金纳米线都是纯度很高的单相。同时还报道了反应条件对CuFeS2纳米材料形貌的控制作用,改变ZnSe与CdSe两种反应物的比例和反应时间,可以制备出尺寸不同的ZnCdSe纳米线,并且对于两种样品的生长机理进行了分析。利用紫外-可见光吸收光谱仪、近场扫描光学显微镜、荧光光谱仪对合成三元半导体材料进行光学性质的研究。结果发现,CuFeS2纳米颗粒的带隙由于粒径很小发生了一定的改变,比以前报道的(0.6eV)要略大(0.673 eV),而且纳米颗粒形状的CuFeS2在325nm激光的作用下发出漂亮的蓝色光,这是由于在CuFeS2中存在Cu+发生了3Eg→1A1g的跃迁现象所致,与所得到的PL谱的峰值对应。而对于合金ZnCdSe纳米线,根据PL谱的结果,利用维加德定律(Vegard law)分别计算出各个元素在化合物中的组分,并且实现了波长在521nm-717nm之间的发光可调谐性。当合金中Zn的含量较多时,PL峰值的变化不是很明显,出现在521nm-533nm之间,而且存在着很强的缺陷发光现象,当Cd的含量增加后,没有出现缺陷发光,发生此现象的原因是由于ZnSe的缺陷能级一般包括Zn离子和Se离子的空位、间隙离子或者其他的杂质缺陷,Se空位形成一种双施主能级,而Zn空位是一种受主型缺陷,新生长的ZnSe晶体,发光层中必然有Zn空位,发光峰是导带电子与Zn空位所俘获空穴的复合发光。具有光学性质可调谐的ZnCdSe三元半导体纳米线在纳米激光器方面有很大的应用价值。