随着电子信息技术的飞速发展，电子元器件的工作频率和集成度不断提高，作为电子元器件关键组成部分之一的磁性元器件必然要向微型化、集成化、高频化方向发展。但是传统的铁氧体材料饱和磁化强度较低，受自身性质的限制不能在GHz频率范围具有较高的磁导率，因此不能满足当前电磁元件的需求。目前，具有高饱和磁化强度的软磁薄膜越来越受到重视，成为高频磁性材料研究的热点。为了使软磁薄膜能够具有好的高频特性，它不仅需要具有高的饱和磁化强度和高磁导率，而且需要具有较大的电阻率以及适当大的面内磁各向异性场，以抑制涡流损耗和提高自然共振频率。尽管目前已有许多高频软磁薄膜的研究，但是研究结果表明很难使薄膜同时获得较高的饱和磁化强度、较大的电阻率以及高自然共振频率。因此进一步研究在保持较高饱和磁化强度的情况下提高薄膜的电阻率和高频性能是十分必要的。因为Fe-Ni合金具有高饱和磁化强度和较低的矫顽力，可在GHz频段获得较高的磁导率而备受关注。因此进一步研究Fe-Ni基高频软磁薄膜及其在高频电磁器件中的应用是非常必要的。　　本研究的主要研究内容及结果如下:　　(1)采用磁控溅射的方法，在无外加诱导磁场的情况下溅射制备了一系列Fe80Ni20-O纳米晶软磁薄膜。研究发现在沉积薄膜时通入少量的氧气，可以获得具有面内磁各向异性的Fe80Ni20-O薄膜样品，而且改变通入氧气的量就可以调控薄膜样品的面内磁各向异性场。测试结果还表明增加通入氧气的量可以在保持较大饱和磁化强度的情况下，增加薄膜样品的电阻率。当氧气流量比从0.75％增加到3％时，Fe80Ni20-O薄膜样品的自然共振频率从2.2 GHz增加到5.9 GHz，电阻率从56.7μΩ·cm增加到108μΩ·cm。　　(2)研究发现单层纳米晶薄膜不能在较大厚度下保持好的软磁性能，因此我们在Fe80Ni20-O薄膜中加入氧化物相，制备了具有不同中间层厚度的[Fe80Ni20-O/SiO2]n纳米多层膜样品。研究结果表明，仅通过改变非磁性中间层的厚度就可以调控多层膜样品的面内磁各向异性场，进而可以大范围地调控多层膜样品的自然共振频率。此外，增加氧化物中间层的厚度可以在保证饱和磁化强度和磁导率较大的情况下，明显提升多层膜的电阻率。　　(3)基于高频性能最优的纳米软磁多层膜样品的制备条件，我们在保持磁性层和氧化物中间层厚度不变的情况下制备了总厚度不同的[Fe80Ni20-O/SiO2]n多层膜样品。我们分别研究了这些多层膜样品的微观结构、表面形貌、磁学和电学性能，测试结果表明，多层膜样品的总厚度基本不影响样品优异的磁学性能，这为下一步研究平面电感器件提供了实验基础。　　(4)研究探索了平面螺线管电感器件的MEMS加工工艺，选择综合性能最优的[Fe80Ni20-O/SiO2]n多层膜，制备成平面螺线管电感样品的磁性芯层，并对有无磁性芯层的电感样品进行了性能测试和分析，测试结果表明在平面电感中引入高频软磁薄膜可以明显地提高电感的电感值和品质因数。