【摘 要】
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在室温下,ZnMgO薄膜材料的禁带宽度可在3.3eV～7.8eV范围内调节。又由于这种半导体材料分布广泛、制备方法多以及抗辐射能力强,因此,近几年人们越来越关注这种材料的研究及其发
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在室温下,ZnMgO薄膜材料的禁带宽度可在3.3eV～7.8eV范围内调节。又由于这种半导体材料分布广泛、制备方法多以及抗辐射能力强,因此,近几年人们越来越关注这种材料的研究及其发展方向。本论文主要采用射频磁控溅射的方法来生长ZnO薄膜和ZnMgO合金薄膜。并在此前提下,使用光刻工艺的方法制备出具有MSM结构的ZnO和ZnMgO紫外光电探测器,并对薄膜和探测器的性能进行了研究。主要研究了射频磁控溅射的方法生长的ZnO基薄膜的工艺条件对薄膜性能的影响,重点讨论溅射功率对薄膜性能的影响；在此基础上,又研究了光刻工艺后,探测器表面的形貌,以及ZnO基紫外光电探测器的光电性能,并研究了表面处理提高探测器性能的原理。
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