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低电阻率n型金刚石薄膜的制备是世界前沿难题。为了减小氧离子注入对金刚石晶格损伤,提高其电学性能。我们提出硼氧共掺杂方法制备n型金刚石薄膜。本文设计了三种硼氧共掺杂方式,即硼氧离子共注入本征金刚石薄膜(BO系列)、氧离子注入低硼金刚石薄膜(LBO系列)和氧离子注入高硼金刚石薄膜(HBO系列),系统研究了不同注入剂量和退火温度对金刚石薄膜微结构和电学性能的影响。SEM测试结果表明,BO系列样品在高温退火后,薄膜的晶粒取向由(110)转变为(111),且薄膜的粗糙度降低。LBO系列样品,离子注