Ti₂SnC是一种新型陶瓷材料，具有较高的电导率、良好的可加工性、自润滑性和耐腐蚀等优良性能，已成为国内外研究的热点。本论文的主要研究内容包括：①通过改变初始配料的组分及比例，确定关键工艺参数，实现常压合成高纯度Ti₂SnC粉体；②采用机械活化低温合成技术，实现低温下合成Ti₂SnC。③选用合适的生长模板，控制Ti₂SnC晶粒的定向生长，制备具有织构化的Ti₂SnC陶瓷。研究结果表明，当Ti／Sn／C以2∶1∶1摩尔比配料，真空气氛下，在1200℃保温1h后，常压合成了高纯度Ti₂SnC粉体；当采用Ti／Sn／TiC按摩尔比1∶0.8∶0.9配料时，在1200℃，真空气氛下，仅保温15min，常压合成了高纯度Ti₂SnC粉体。利用X—射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、能谱分析（EDS）、差热分析（DSC）等技术，对Ti₂SnC粉体的特征、形成机制进行了系统分析，并对Ti₂SnC的热稳定性进行了研究，确定了Ti₂SnC在真空条件下的分解温度为1250℃，分解产物为Sn和TiC。利用机械活化低温合成技术，实现了低温合成Ti₂SnC。高能球磨1h后的Ti／Sn／C超细粉，真空或Ar气氛下，在650℃，保温1h，常压合成了Ti₂SnC。使Ti₂SnC的合成温度与报道的温度相比降低了600℃左右。此外，还深入研究了C颗粒尺寸在反应系统中对Ti₂SnC的形成影响。利用C纤维为反应模板，实现了Ti₂SnC晶粒的定向生长控制。通过对C纤维浸渗一定摩尔比的Ti-Sn料浆，然后对其定向排布和冷压成型，在1200℃常压烧结2h后，得到了具有织构化的Ti₂SnC陶瓷。