应变硅技术通过在传统的体Si器件中引入应力来改善迁移率对器件性能的限制,而且应变CMOS以体Si工艺为基础而不需要太过复杂的工艺,因而正在做为一种廉价而高效的技术而得到越来越广泛的应用,延续着摩尔定律的发展。本论文提出了一种新型的应变CMOS器件结构模型。这种结构采用全局应变应力引入技术,在同一块硅片上实现应变硅表面沟道NMOSFET和应变硅垂直沟道PMOSFET的集成,既应用到新型技术,又符合国内工艺条件,提升工艺设备的利用价值,兼顾先进性和经济性的考虑,是一种很有发展前途的器件结构,具有创新性。为了器件模拟的需要,建立了应变硅器件的迁移率模型和阈值电压模型等主要的器件物理参数模型,应用二维器件模拟软件Medici对器件的直流和交流特性进行了模拟仿真,并对主要的结构参数对器件性能的影响做了模拟,以选取适当的参数优化器件性能。通过模拟的结果证明这种新型器件性能良好,具有很好的应用前景。