近些年来,随着电子产品的高速发展,电源管理技术已然成为一个非常热点的研究课题。而在众多电源管理类系统中,低压差线性稳压器(LDO)的应用最为广泛。随着技术的不断进步和市场的更高需求,LDO电路更好的瞬态响应、更少的外围器件等逐渐成为研究热点和发展趋势。因此,对LDO电路进行研究和探讨具有重要的实际意义。本文对LDO电路的基本原理和性能指标进行理论性的研究,就如何提高LDO性能的关键点通过系统电路设计展开针对性的分析。具体主要在基准电压模块、LDO频率补偿方案、LDO负载瞬态响应、LDO核心电路以及保护电路等方面进行了较为深入的理论研究和探讨。本文基于上述的研究和分析,采用SMIC 180 nm CMOS工艺,在传统LDO电路结构的基础上进行改进,最终设计了一款具有快速负载瞬态响应性能的无片外电容型LDO,并介绍了这款LDO的理论分析、设计过程及仿真验证,其中详细地讨论了设计过程中的许多关键技术和实现方法。仿真结果表明,当输入电源电压为1.5 V时,输出电压为1.2 V,最大负载电流为300 mA,负载电流在1 mA和300 mA间变化且跳变时间为1μs时,最大过冲电压为62.3mV,响应时间仅为1.9μs。设计的LDO具有快速负载瞬态响应性能,且综合性能良好。