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ZnO-高介电氧化物复合介质在电荷俘获型存储器件中的应用研究
【摘 要】
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硅基半导体存储器件是当前存储器市场的主流,也是信息化社会的基石之一。电荷俘获型存储器件作为一种硅基存储器具有与传统CMOS工艺良好兼容性的特点,因此具有较好的工业应用前景。随着对于存储容量需求的提高,器件的尺寸逐渐缩小,然而这类存储器件的性能也逐渐逼近其物理极限。为了解决这一问题,高介电系数(high-k)氧化物被引入到电荷俘获型存储器件结构内。high-k介质可以被用作器件的隧穿层、存储层以及阻
【出 处】
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南京大学
【发表日期】
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2019年07期
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