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锆钛酸铅(PZT)作为一种典型的钙钛矿结构铁电材料,具有突出的介电、压电和铁电性质。由于其在微传感器、微执行器等微电子机械系统(MEMS)和非易失性存储器(NVFRAM)中的广阔应用前景,硅基PZT 薄膜已经成为国内外微电子学和材料科学的研究热点。本论文基于薄膜成核生长的基本原理,围绕退火晶化工艺对PZT 薄膜结晶品质、微结构以及电性能的影响进行了深入系统的分析。首先, 采用磁控射频溅射在Pt/Ti/SiO2/Si 上制备了优质的非晶Pb(Zr0.48Ti0.52)O3薄膜,采用