本论文首先利用模板电化学沉积法通过更换电解溶液组成成份制备了直径为200nm的Au-Ag-Au多节纳米棒。为了制得纳米空隙，本论文采用湿法化学腐蚀方法，利用NaOH对多节纳米棒中间牺牲Ag部分进行了腐蚀。通过扫描电镜测试图和能谱图证明了多节纳米棒空隙长度约为300nm，并且中间Ag部分材料被完全刻蚀。为了测试多节纳米棒的电学特性及介电电泳（DEP）实验的进行，本论文在SiO2基底上运用标准的紫外线光刻、剥离和电子束蒸镀技术制得了最小间隔为4μm的金电极。在300nm的纳米空隙中进行20nmAu纳米颗粒的介电电泳组装最终被成功完成。通过多次实验和SEM测试，我们得出结论为：在电压为3Vpp，频率为1MHz，组装时间为22s时，独立的Au纳米颗粒被成功得组装到纳米空隙中；当电压小于3Vpp时，即使延长组装时间，也不会观察到输出信号；当电压大于3Vpp时，虽然能够观察到输出信号，但从SEM图中观察到Au纳米颗粒出现了熔融现象。就此，本论文已提出一种基于多节纳米棒的介电泳组装纳米颗粒操纵工艺技术。基于实验中Au纳米颗粒出现的熔融现象，本论文在此基础上提出了制备单电子晶体管的设想。利用局部熔融技术，在已成功组装Au纳米颗粒间制备小于5nm的纳米空隙，来实现单电子晶体管的器件制备。最后，本论文给出了设想的单电子晶体管结构图。