【摘 要】
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本文以微晶硅薄膜的沉积速率为重点，以优化沉积条件、提高微晶硅薄膜的沉积速率为目标，通过射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)和甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PECVD)，系统地研究了沉积气压、射频功率、气体流量及硅烷浓度等沉积条件对薄膜的沉积速率、晶化率、择优晶向、晶粒大小、表面形貌、结构演化的影响，并对等离子体成膜机理、薄膜机构演变机理做了初步的探究。我们的初步研究表明：A．在射频条
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本文以微晶硅薄膜的沉积速率为重点，以优化沉积条件、提高微晶硅薄膜的沉积速率为目标，通过射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)和甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PECVD)，系统地研究了沉积气压、射频功率、气体流量及硅烷浓度等沉积条件对薄膜的沉积速率、晶化率、择优晶向、晶粒大小、表面形貌、结构演化的影响，并对等离子体成膜机理、薄膜机构演变机理做了初步的探究。我们的初步研究表明：A．在射频条件下：1．沉积速率受气体总流量及硅烷浓度影响最为显著，随
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