【摘 要】
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该文的主要工作是:●为控制衬底台阶的质量,研究了铬膜沉积条件与耐刻蚀性和耐腐蚀性间的关系.●设计和制备了高温超导dc-SQUID磁强计器件,利用图形的设计提高了dc-SQUID器件
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该文的主要工作是:●为控制衬底台阶的质量,研究了铬膜沉积条件与耐刻蚀性和耐腐蚀性间的关系.●设计和制备了高温超导dc-SQUID磁强计器件,利用图形的设计提高了dc-SQUID器件的有效面积.●设计和制作了dc-SQUID磁强计的磁通锁定环线路.初步测试结果达到设计要求.虽然较高温度下得到的铬膜有更低的离子束刻蚀速率,但其在标准铬腐蚀溶液中的腐蚀速率随铬膜衬底温度的增加而减慢.对于给定厚度的铬膜,腐蚀时间增加将导致掩膜边缘平直程度恶化.为了得到直的台阶边缘,不但需要离子束刻蚀掩膜有较低的离子束刻蚀速率,还要求它具有较高的化学腐蚀速率.因此需要对铬膜的制备条件加以控制.我们在直接耦合dc-SQUID中,用在耦合环内孔中图形填充的方法减小电感,进而增大Ap/Lp,以增大总的有效面积.在10×10mm的STO双晶衬底上所做的对比实验表明,对于我们所设计的几何结构,有效面积增大了17﹪.
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