本文针对P型SiC欧姆接触在高温应用时的可靠性问题，结合欧姆接触的量子隧穿形成机制，提出了用Al／多晶硅复合层结构作为P型SiC外延层的欧姆接触的方法。主要研究内容如下：1)对在P型SiC上实现欧姆接触的工艺方法进行了分析，讨论了如何克服费米钉扎等关键问题；其次，从材料、工艺两方面总结了如何提高接触可靠性的方法；2)介绍了SiC的特性、实验所用到的仪器、比电阻和可靠性的测试方法，并以3C-SiC欧姆接触的测量为例，具体讲述提高精度的测量方法；3)对P型SiC欧姆接触形成机制进行了研究。首先介绍了费米钉扎效应的形成及工艺上的消除方法；其次对合金理论和空位理论进行了分析；最后提出了一种新的基于量子力学的纳米隧穿形成机制，并对失效原因进行了讨论；4)采用RF辅助热丝CVD方法(RF+HF+CVD)在单晶硅衬底上生长大面积P型3C-SiC薄膜，所制得样品结构为Si／SiC；并提出用Al／多晶硅复合层结构作为P型SiC外延层的欧姆接触。