【摘 要】
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该论文对快速退火后InGaN／GaN量子阱结构的性质和量子阱基白光LED的制备进行了研究.工作主要集中在以下几方面：（1）.快速热退火工艺处理后的InGaN／GaN应变量子阶,由于量子阱阱层与
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该论文对快速退火后InGaN／GaN量子阱结构的性质和量子阱基白光LED的制备进行了研究.工作主要集中在以下几方面：（1）.快速热退火工艺处理后的InGaN／GaN应变量子阶,由于量子阱阱层与垒层之间的In和Ga原子的扩散,会引起它的In组分分布的变化和应力的释放.运用同步辐射高分辨X射线和高分辨透射电镜,我们计算并分析了InGaN／GaN多量子阱平均晶格常数的水平和垂直应变随着退火温度的增加而减弱.（2）.对热退火工艺处理后的InGaN／GaN应变量子阱进行了光致发光谱的研究.随着退火温度的升高,光谱先是出现红移再出现蓝移.结合高分辨透射电镜和高分辨X射线,分析红移与蓝移的物理机理是InGaN／GaN应变量子阱中的量子点效应.（3）.氮化镓量子阱基白光发光二极管具有体积小、寿命长、光谱更接近自然光以及折射率比较低等优点.我们制备的白光发光二极管在电压2.5V时开启,3.7V达到20mA电流,发光强度达到1.7cd,显色指数82.研究了白光发光二极管的光谱特性与注入电流的关系.发现随着电流的增加,色坐标“蓝移”,并进行了解释.
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