相对于外调制方式,半导体激光器直接调制方式的结构紧凑、功耗较低且技术更简单,被广泛应用于光接入网及光互联等短距离光纤通信系统中。随着通信流量的增加,为了满足下一代高速率接入网的要求,如何实现激光器的高速直接调制成为了半导体激光器技术的研究热点。近年来,激光器芯片的制造技术得到快速发展,激光器本征响应速率得到很大提高,此时封装过程中引入的电寄生效应逐渐成为影响调制速率的重要因素。本文通过理论及实验的方法研究了电寄生效应对激光器调制特性的影响,主要工作如下:(1)以激光器的等效电路模型为理论基础,利用ADS软件将激光器的电寄生效应及外部驱动电路加入到激光器模型中实现更真实的仿真。模拟结果表明寄生电路存在一个潜在的3dB带宽限制点,如果寄生效应不能得到改善高速激光器芯片设计的努力将是徒劳。而如果对外电路进行优化设计,激光器的性能甚至有可能得到改善。(2)将等效电路模型与传输线激光器模型(TLLM)相结合,这在研究激光器电寄生效应的同时还考虑了激光器内部光场及载流子密度沿纵向上的空间分布。(3)在测量激光器的P-I特性、小信号强度响应特性及色散光纤的强度响应特性的基础上提取了激光器的本征参数,并利用了ADS软件的优化拟合功能提取了激光器的电寄生参数。