半导体分立器件测试系统是保证分立器件产品质量、提高生产效率及增强分立器件厂商核心竞争力的重要手段。在整个半导体分立器件行业中，关于它的研究与开发一直占据着重要地位，推动着整个产业的发展。对于一个半导体分立器件测试系统，程控高压源的性能、高压与漏电流的测试性能直接决定了整个测试系统性能的高低。程控高压源输出的速度越快、幅值与精度越高，高压与漏电流及测试速度越快、范围越广、精度越高，半导体分立器件系统能够测试的器件种类、参数越多，测试精度与测试效率越高。因此，对于研发一个半导体分立器件测试系统来讲，研究快速高精度程控高压源的实现方法及高压和漏电流高速高精度的测试方法具有重要的意义。本文在深入研究了半导体分立器件测试系统中程控高压源的实现方法、高电压与漏电流测试方法的基础上，完成了一个半导体分立器件测试系统中程控高压板的设计与实现。其功能是产生高压激励，完成高压、漏电流及反向击穿电压的测试。在该高压板中，使用运放幅值扩展电路的放大电路的方法实现输出幅值范围为30V～1000V、施加精度为0.5%、施加时间小于3ms、最大输出功率功率为6.4W的程控快速千伏级高压源；使用高精度分压电路将高电压衰减为低电压的方法实现范围为30V～1000V、测试精度为0.5%、测试时间小于10μs的电压测试；使用可变高灵敏度反馈电流式I/V变换器实现测试范围为20nA～10mA、测试时间小于10us的漏电流测试。其中，20nA～100nA的电流测试精度为1%。此外还设计了箝位电路来保证测试的安全。本文在分析现有反向击穿电压测试方法的基础上，提出了一种快速、安全的反向击穿电压的测试方法—动态测试法。该方法通过硬件闭环法，给待测件施加幅值范围可调、高斜率（200V/ms）的斜坡电压激励，使用硬件比较电路来判断待测件的漏电流是否达到待测件击穿时的电流值。若到达，则测回待测件两端的电压值，从而得到待测件的反向击穿电压。为了缩短测试时间，确保测试的安全性，本文利用FPGA设计了专门的反向击穿电压测试控制器来控制整个反向击穿电压的测试过程。