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金红石M相二氧化钒(VO2)在68℃可发生半导体-金属相转变(MIT),随着相变的发生,其光学性质会发生明显的可逆变化,因而具有调节太阳光透过率的VO2薄膜是制备高效节能智能窗的理想材料之一。但由于合成困难、可见光透过率低和相变温度较高等问题,目前VO2薄膜在高效节能智能窗上的应用仍未实现。本文以无机溶胶凝胶法制备V2O5溶胶,采用提拉法在石英玻璃基片上镀制掺钨氧化钒薄膜,经高真空退火后得到VO2薄膜。通过变温红外透过、XRD、SEM等表征手段研究了氧分压、退火温度、掺钨量、二次高真空退火等参数变化对薄膜结构、表面形貌、光学性能和相变温度等性能的影响,主要结果如下:(1)氧分压对氧化钒薄膜的晶型和光学性能有重要的影响;在真空度为280Pa下,形成VO2(B)相;在真空度为260 Pa下,生成VO2(M)相晶体;在真空度为240 Pa下,生成VO2(M)和V2O3晶相的复合晶体;在真空度为220 Pa下,生成V2O3晶体。(2)针对W参杂量为1%的薄膜试样,发现:随着保温温度的升高,V2O5分解加快,550℃条件下制备的试样VO2的XRD衍射峰最强。保温温度对薄膜的各项性能的影响不同;510℃制备的薄膜具有最高的太阳光调制能力,达到了4.9%;530℃条件下制备的薄膜有着最好的光学性能,其25℃条件下的可见光平均透过滤为15.04%,2000 nm处红外调制效率为61.1%;在550℃制备的薄膜相变温度为45.9℃,其相变温度最低。(3)采用无机溶胶凝胶法制备的掺钨二氧化钒薄膜,钨原子有效的实现了替位掺杂,从而实现了降低相变温度的目的。随着钨掺量的增加,二氧化钒薄膜相变温度(TC)逐渐降低。当钨掺量0≦x≦1时,二氧化钒薄膜相变温度以-13.9℃/at.%W的效率降温;当掺钨量为1≦x≦1.5时,二氧化钒薄膜相变温度以-23℃/at.%W的效率降温。(4)本实验采用的二次真空退火法,在较低温度条件下(300℃左右),通过引入氧空位,引起晶格的微小畸变,在基本不降低太阳光调制效率的情况下,降低了二氧化钒薄膜的相变温度。未掺杂试样,相变温度从64.7℃下降到59.8℃,2000nm处调制能力下降1.9%,其太阳光调制效率为3.78%,与二次真空退火处理前相比,基本没发生变化;掺杂量为1%的试样,其相变温度从47.5℃下降到42.8℃,2000 nm处调制能力下降4.8%,其太阳光调制效率为3.38%,基本没发生变化。因此,在基本不降低太阳光调制效率的情况下,利用该方法可以进一步降低掺杂二氧化钒薄膜的相变温度,使得薄膜相变温度接近室温,达到节能智能窗的使用条件。