【摘 要】
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第一章综述了SiC材料基本的物理化学性质以及SiC材料和器件的研究进展.包括SiC的基本结构、同质多型、热学和光学性质、电学特性等,以及SiC块状单晶和薄膜材料的制备与进展.
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第一章综述了SiC材料基本的物理化学性质以及SiC材料和器件的研究进展.包括SiC的基本结构、同质多型、热学和光学性质、电学特性等,以及SiC块状单晶和薄膜材料的制备与进展.最后还介绍了SiC半导体器件的性能及其研究进展,包括肖特基二极管、紫外光电探测二极管、金属半导体场效应晶体管、SiC集成电路等.第二章中,我们采用高真空电子束蒸发的方法将镍(Ni)淀积在4H-SiC(0001)面上,制备出良好的Ni/4H-SiC肖特基接触.测量了Ni/4H-SiC肖特基势垒在强磁场和低温下的I-V特性,并以热电子发射理论为基础结合弛豫近似玻尔兹曼方程对Ni/4H-SiC肖特基势垒在磁场下的输运性质进行了初步的分析和计算,发现电流的变化与磁场的平方和电压成线性关系,和温度成反比关系,这与我们的实验结果基本符合.第三章中,我们利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)设备对于在Si衬底上生长SiC薄膜进行了初步的研究.利用X射线衍射和扫描电镜等实验手段对反应气体流量比和衬底生长前期处理对薄膜的结构、组分、生长速度、薄膜质量等进行了研究,发现在Si(111)衬底上,当C/Si比为1.2左右时,可以得到较高质量的3C-SiC薄膜.而且衬底的前期处理如高温氢气处理去除SiO<,2>层、预生长SiC过渡层及其退火处理等对薄膜的质量都有着直接的影响.
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